elektronika:tranzystory:dzialanieigfet

### Tranzystor z izolowaną bramką - zasada działania

Rozważamy przykład tranzystora zbudowany na podłożu typu n. W podłoże wdyfundowano dwa obszary typu p, tworzące źródło i dren. Powierzchnię tranzystora utleniono wytwarzając kilkumikronową izolującą warstwę SiO2, na którą położono warstwę metalu, stanowiącą bramkę.

- Przyłożenie napięcia między źródło i dren nie spowoduje przepływu prądu, ponieważ dla dowolnego kierunku tego napięcia jedno ze złącz: źródło-podłoże lub dren-podłoże, jest spolaryzowane zaporowo.
- Spolaryzowanie bramki dodatnio względem podłoża powoduje zgromadzenie się tuż pod warstewką SiO2 mniejszościowych elektronów i odepchnięcie dziur. Lokalnie koncentracja elektronów przewyższa koncentrację dziur.
- Powstaje obszar o własnościach podobnych do półprzewodnika typu n.
- Dzięki temu znikają złącza p-n między źródłem, kanałem i drenem. Wówczas prąd może przepłynąć w obwodzie drenu.

Zmieniając napięcie bramki względem podłoża zmienia się szerokość kanału, a tym samym rezystancję między źródłem i drenem. Przepływ dużego prądu przez kanał wywołuje spadek napięcia wzdłuż jego długości, co jest przyczyną zmiennej szerokości kanału. W pewnych warunkach kanał może zostać odcięty.