==== Tranzystor z izolowaną bramką - zasada działania ====
----
Rozważamy przykład tranzystora zbudowany na podłożu typu n. W podłoże wdyfundowano dwa obszary typu p, tworzące źródło i dren. Powierzchnię tranzystora utleniono wytwarzając kilkumikronową izolującą warstwę SiO<sub>2</sub>, na którą położono warstwę metalu, stanowiącą bramkę.  

  * Przyłożenie napięcia między źródło i dren nie spowoduje przepływu prądu, ponieważ dla dowolnego kierunku tego napięcia jedno ze złącz: źródło-podłoże lub dren-podłoże, jest spolaryzowane zaporowo. 
  * Spolaryzowanie bramki dodatnio względem podłoża powoduje zgromadzenie się tuż pod warstewką SiO<sub>2</sub> mniejszościowych elektronów i odepchnięcie dziur. Lokalnie koncentracja elektronów przewyższa koncentrację dziur. 
  * Powstaje obszar o własnościach podobnych do półprzewodnika typu n. 
  * Dzięki temu znikają złącza p-n między źródłem, kanałem i drenem. Wówczas prąd może przepłynąć w obwodzie drenu.

Zmieniając napięcie bramki względem podłoża zmienia się szerokość kanału, a tym samym rezystancję między źródłem i drenem.  Przepływ dużego prądu przez kanał wywołuje spadek napięcia wzdłuż jego długości, co jest przyczyną zmiennej szerokości kanału. W pewnych warunkach kanał może zostać odcięty.

{{:elektronika:tranzystory:igfet11.jpg|:elektronika:tranzystory:igfet11.jpg}}

{{:elektronika:tranzystory:igfet12.jpg|:elektronika:tranzystory:igfet12.jpg}}
----