//Pytanie: "Tranzystory bipolarne i unipolarne - zasady działania, podstawowe układy pracy"//


{{:elektronika:tranzystoryupdate.pdf|:wersja PDF}}

===== Tranzystory bipolarne =====
Tranzystor bipolarny stanowi kombinacja dwóch półprzewodnikowych złączy p-n, wytworzonych w jednej płytce półprzewodnika. Procesy zachodzące w jednym złączu oddziałują na drugie, a nośnikami ładunku elektrycznego są dziury i elektrony. Ze względu na kolejność ułożenia warstw półprzewodnika rozróżniamy:
    *[[elektronika:tranzystory:pnp|tranzystory p-n-p]]
    *[[elektronika:tranzystory:npn|tranzystory n-p-n]]
Zasada działania tranzystora n-p-n i p-n-p jest jednakowa, różnice występują tylko w polaryzacji zewnętrznych źródeł napięcia i kierunku przepływu prądów.
Tranzystor bipolarny składa się z trzech obszarów o przeciwnym typie przewodnictwa, co powoduje powstanie dwóch złączy: p-n i n-p. W tranzystorze bipolarnym poszczególne obszary półprzewodnika mają swoją nazwę: B – baza, E – emiter, C – kolektor. A złącza nazywa się 
    *złączem emiterowym ( złącze emiter-baza)
    *złączemi kolektorowym ( złącze baza-kolektor)

==== Zasada działania ====
Działanie tranzystora bipolarnego rozpatrzymy na przykładzie polaryzacji normalnej tranzystora, tzn. gdy złącze emiter-baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze baza-kolektor spolaryzowane w kierunku zaporowym:
  * Napięcie przyłożone do złącza baza-emiter w kierunku przewodzenia wymusza przepływ prądu przez to złącze – nośniki większościowe (elektrony w tranzystorach NPN lub dziury w tranzystorach PNP) przechodzą do obszaru bazy. 
  * Nośniki wprowadzone do obszaru bazy przechodzą bezpośrednio do kolektora – jest to możliwe dzięki niewielkiej grubości obszaru bazy – znacznie mniejszej niż droga swobodnej dyfuzji nośników ładunku w tym obszarze (ok. 0,01-0,1mm), co pozwala na łatwy przepływ nośników przechodzących przez jedno ze złącz do obszaru drugiego złącza 
  * Nośniki wstrzyknięte do bazy niejako 'siłą rozpędu' dochodzą do złącza kolektor baza. 
  * Ponieważ złącze to jest spolaryzowane w kierunku zaporowym to nośniki mniejszościowe są 'wsysane' do kolektora. Prąd bazy składa się z dwóch głównych składników: **prądu rekombinacji** i **prądu wstrzykiwania**. 

**Prąd rekombinacji** to prąd powstały z rekombinowania wstrzykniętych do bazy nośników mniejszościowych z nośnikami większościowymi w bazie. Jest tym mniejszy im cieńsza jest baza. 

**Prąd wstrzykiwania** jest to prąd złożony z nośników wstrzykniętych z bazy do emitera, jego wartość zależy od stosunku koncentracji domieszek w obszarze bazy i emitera.

[[elektronika:tranzystory:zasadab|Ilustracja działania tranzystora bipolarnego]]

==== Układy pracy ====
Zależnie od doprowadzenia i wyprowadzenia sygnału rozróżniamy trzy sposoby włączenia tranzystora do układu:
    * układ ze wspólnym emiterem OE (WE)
    * układ ze wspólną bazą OB (WB),
    * układ za wspólnym kolektorem OC (WC).

[[elektronika:tranzystory:uklady|Parametry tranzystora pracującego w poszczególnych układach]]

===== Tranzystory unipolarne =====
Tranzystor polowe stanowią grupę kilku rodzajów elementów, których wspólną cechą jest pośrednie oddziaływanie pola elektrycznego na rezystancję półprzewodnika lub na rezystancję cienkiej warstwy nieprzewodzącej. Do tej grupy zaliczamy tranzystory, których prąd wyjściowy jest funkcją pola elektrycznego istniejącego pod wpływem napięcia sterującego wejściowego. W działaniu elementu udział bierze tylko jeden rodzaj nośników ładunku, stąd nazwa polowy (unipolarny). 
Tranzystory polowe, zwane w skrócie FET, mają kanał typu P lub kanał typu N, który może być wzbogacony lub zubożony. W tranzystorach z kanałem typu N nośnikami prądu są elektrony, a w tranzystorach z kanałem typu P nośnikami prądu są dziury.

Tranzystory polowe dzielimy na:
    * [[elektronika:tranzystory:jfet|Tranzystory polowe złączowe – JFET]]
    * [[elektronika:tranzystory:igfet|Tranzystory polowe z izolowaną bramką – IGFET,MOSFET]]



 W tranzystorach polowych elektrody mają swoją nazwę i określony symbol:
    * **Źródło** (ang. Source), oznaczone literą S. Jest elektrodą z której wypływają nośniki ładunku do kanału. Prąd źródła oznacza się jako I<sub>S</sub>.
    * **Dren** (ang. Drain), oznaczone literą D. Jest elektrodą do której dochodzą nośniki ładunku. Prąd drenu – I<sub>D</sub>, napięcie dren-źródło – U<sub>DS</sub>.
    * **Bramka** (ang. Gate), oznaczone literą G. Jest elektrodą sterującą przepływem ładunków. Prąd bramki – I<sub>G</sub>, napięcie bramka-źródło – U<sub>GS</sub>.
    * **Podłoże** ( Dla tranzystorów z izolowaną bramką ), oznaczone literą B.

==== Zasada działania ====

    * [[elektronika:tranzystory:dzialanieJfet|Tranzystor złączowy]]
    * [[elektronika:tranzystory:dzialanieIgfet|Tranzystor z izolowaną bramką]]

==== Układy pracy ====

Tranzystory unipolarne mogą pracować w trzech podstawowych konfiguracjach:
    * Układ o wspólnym źródle – OS.
    * Układ o wspólnej bramce – OG.
    * Układ o wspólnym drenie – OD.

===== Linki =====
http://home.agh.edu.pl/~maziarz/LabPE/unipolarne.html

http://www.elektroda.net/pomoce/doc/elektronika/tranzystory%20polowe.htm

http://www.elektroda.net/pomoce/doc/elektronika/tranzystory%20bipolarne.htm