<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<!-- generator="FeedCreator 1.7.1" -->
<?xml-stylesheet href="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/lib/styles/feed.css" type="text/css"?>
<rdf:RDF
    xmlns="http://purl.org/rss/1.0/"
    xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#"
    xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
    xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
    <channel rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/feed.php">
        <title>mgr Wiki elektronika:tranzystory</title>
        <description></description>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/</link>
        <image rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/lib/images/favicon.ico" />
       <dc:date>2007-01-04T10:16:10+01:00</dc:date>
        <items>
            <rdf:Seq>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:dzialanieigfet&amp;amp;rev=1148395099"/>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:dzialaniejfet&amp;amp;rev=1146495070"/>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:igfet&amp;amp;rev=1146494266"/>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:jfet&amp;amp;rev=1146493518"/>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:npn&amp;amp;rev=1146492210"/>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:pnp&amp;amp;rev=1146492166"/>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:tranzystory_bipolarne_i_unipolarne_-_zasady_dzialania_podstawowe_uklady_pracy&amp;amp;rev=1146163156"/>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:uklady&amp;amp;rev=1146492909"/>
                <rdf:li rdf:resource="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:zasadab&amp;amp;rev=1146492286"/>
            </rdf:Seq>
        </items>
    </channel>
    <image rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/lib/images/favicon.ico">
        <title>mgr Wiki</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/</link>
        <url>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/lib/images/favicon.ico</url>
    </image>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:dzialanieigfet&amp;amp;rev=1148395099">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-05-23T16:38:19+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:dzialanieigfet</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:dzialanieigfet&amp;amp;rev=1148395099</link>
        <description> Zmieniając napięcie bramki względem podłoża zmienia się szerokość kanału, a tym samym rezystancję między źródłem i drenem. Przepływ dużego prądu przez kanał wywołuje spadek napięcia wzdłuż jego długości, co jest przyczyną zmiennej szerokości kanału....</description>
    </item>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:dzialaniejfet&amp;amp;rev=1146495070">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-05-01T16:51:10+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:dzialaniejfet</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:dzialaniejfet&amp;amp;rev=1146495070</link>
        <description>      ...</description>
    </item>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:igfet&amp;amp;rev=1146494266">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-05-01T16:37:46+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:igfet</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:igfet&amp;amp;rev=1146494266</link>
        <description> Symbole graficzne przedstawiono na rysunku:      ...</description>
    </item>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:jfet&amp;amp;rev=1146493518">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-05-01T16:25:18+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:jfet</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:jfet&amp;amp;rev=1146493518</link>
        <description> Tranzystor polowy złączowy składa się zasadniczo z warstwy półprzewodnika typu n – w tranzystorach z kanałem typu N lub z półprzewodnika typu p – w tranzystorach z kanałem typu P. Warstwa ta tworzy kanał. Do obu końców kanału dołączone są elektrody....</description>
    </item>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:npn&amp;amp;rev=1146492210">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-05-01T16:03:30+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:npn</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:npn&amp;amp;rev=1146492210</link>
        <description> Tranzystor NPN     ...</description>
    </item>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:pnp&amp;amp;rev=1146492166">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-05-01T16:02:46+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:pnp</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:pnp&amp;amp;rev=1146492166</link>
        <description> Tranzystor PNP     ...</description>
    </item>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:tranzystory_bipolarne_i_unipolarne_-_zasady_dzialania_podstawowe_uklady_pracy&amp;amp;rev=1146163156">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-04-27T20:39:16+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:tranzystory_bipolarne_i_unipolarne_-_zasady_dzialania_podstawowe_uklady_pracy</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:tranzystory_bipolarne_i_unipolarne_-_zasady_dzialania_podstawowe_uklady_pracy&amp;amp;rev=1146163156</link>
        <description> :wersja PDF   ...</description>
    </item>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:uklady&amp;amp;rev=1146492909">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-05-01T16:15:09+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:uklady</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:uklady&amp;amp;rev=1146492909</link>
        <description> Parametry tranzystora pracującego w poszczególnych układach   układ OE  duże wzmocnienie prądowe ( β = IC/IB )  duże wzmocnienie napięciowe  duże wzmocnienie mocy    układ OB  mała rezystancja wejściowa  bardzo duża rezystancja wyjściowa  wzmocnieni...</description>
    </item>
    <item rdf:about="http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:zasadab&amp;amp;rev=1146492286">
        <dc:format>text/html</dc:format>
        <dc:date>2006-05-01T16:04:46+01:00</dc:date>
        <title>elektronika:tranzystory:zasadab</title>
        <link>http://kni.pk.edu.pl/~kmokszan/mgr/doku.php?id=elektronika:tranzystory:zasadab&amp;amp;rev=1146492286</link>
        <description> Ilustracja działania tranzystora bipolarnego     ...</description>
    </item>
</rdf:RDF>
